Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gap - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gap

Résumé

Dans cet article, nous présentons une technique de contrôle actif de grille pour maitriser la vitesse de commutation de transistors de puissance à semi-conducteur grand-gap. Un circuit de commande rapprochée innovant, permet de ralentir la vitesse de commutation à l'amorçage du transistor de puissance, réduisant ainsi les perturbations CEM, sans pour autant impacter trop lourdement les pertes de commutation. La méthode proposée est implémentée dans deux circuits intégrés en technologie CMOS qui permettent d'obtenir des temps de réaction pour une boucle de rétroaction inférieurs à la nanoseconde. Avec de telles performances, il est montré expérimentalement qu'il est possible de contrôler des vitesses de commutation supérieures à 100 V/ns sous des tensions de 400 V.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02966771 , version 1 (16-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02966771 , version 1

Citer

Plinio Bau, Marc Cousineau, Bernardo Cougo, Frédéric Richardeau, Nicolas C. Rouger. Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gap. Symposium de Génie Electrique 2021, Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-02966771⟩
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